設(shè)備主要用于單、多晶硅太陽能電池片生產(chǎn),擴(kuò)散前的絨面腐蝕和清洗。
工藝過程為：上料→HF+HNO3腐蝕→QDR+氮?dú)夤呐?噴淋→KOH腐蝕→QDR+氮?dú)夤呐?噴淋→HCl腐蝕→QDR+氮?dú)夤呐?噴淋→下料→離心機(jī)甩干(離線)，全程PLC控制，觸摸屏操作。
整體采用德國(guó)10mm （5MM）厚NPP板或PP板雕刻后焊接組合加工而成，槽體配置可實(shí)現(xiàn)腐蝕或后殘留在片子上的化學(xué)液及污染顆粒的沖洗祛除功能。采用龍門式機(jī)械手方式移動(dòng)，其工藝時(shí)間可以自行調(diào)節(jié)，酸堿槽具有自動(dòng)補(bǔ)液裝置，可實(shí)現(xiàn)無間斷生產(chǎn)。能顯示溫度曲線、濃度變化曲線，及各個(gè)工位的工作狀態(tài)。具有設(shè)備報(bào)警說明，報(bào)警歷史查詢功能。
對(duì)清洗用純水有電阻率監(jiān)測(cè)裝置，能存儲(chǔ)10個(gè)以上工藝方案，適用于投產(chǎn)厚度為160±30～200±30微米的硅片，硅片產(chǎn)能不低于1200片/小時(shí)，設(shè)備開工率＞92﹪，碎片率≤3‰。設(shè)備由安裝在槽體底部的快排閥、DI注入孔（包括氮?dú)夤呐荩┘绊敳孔笥覂蓚?cè)的DI噴嘴實(shí)現(xiàn)槽體的快速注入與排放。
快排沖洗槽（QDR）的工作過程由獨(dú)立K200型專用控制器保證。它包括工藝時(shí)間、沖洗次數(shù)設(shè)置、工作完成提示以及過程中的故障報(bào)警、狀態(tài)提示等功能。設(shè)備性能穩(wěn)定可靠，被廣泛應(yīng)用于太陽能電池行業(yè)。
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